Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDP6030PL
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDP6030PL
NDP6030PL Hakkında
NDP6030PL, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 10V gate geriliminde 25mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 75W güç dissipasyonuna dayanır. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok