Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDH832P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8

Paket/Kılıf
SuperSOT™-8
Seri / Aile Numarası
NDH832

NDH832P Hakkında

NDH832P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. SuperSOT-8 yüzey montajı paketi içinde sunulan bu bileşen, 60mOhm maksimum Rds(On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen NDH832P, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.8W güç dağıtım kapasitesi ve 30nC gate charge karakteristiği, düşük sinyal seviyeleri gerektiren devrelerde etkili anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok