Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDFPD1N150CG

MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDFPD1N150CG

NDFPD1N150CG Hakkında

NDFPD1N150CG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1500V drain-source gerilim dayanımı ve 100mA sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek gerilim kontrol sistemlerinde yer alır. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir, maksimum 150Ω RDS(on) direnci ve 4.2nC gate yükü özellikleri bulunmaktadır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile esnek uygulama tasarımı sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) dir. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150Ohm @ 50mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok