Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDF10N60ZH
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDF10N60ZH
NDF10N60ZH Hakkında
NDF10N60ZH, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 68nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 39W güç harcanabilir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies ve diyode uygulamalarında yer alır. Cihazın obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen araştırılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-2 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok