Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF10N60ZG

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF10N60ZG

NDF10N60ZG Hakkında

NDF10N60ZG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol görevleri için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketlemesinde sunulan transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde frekans dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok