Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDF08N50ZH
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDF08N50ZH
NDF08N50ZH Hakkında
NDF08N50ZH, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim dayanımı ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda tasarlanmıştır. Maksimum 35W güç tüketimine dayanıklı olup, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 850mΩ RDS(on) değeriyle güç kaybını minimize eder. Gate charge karakteristiği 46nC (10V'da) olup hızlı anahtarlama operasyonları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1095 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-2 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok