Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF08N50ZG

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF08N50ZG

NDF08N50ZG Hakkında

NDF08N50ZG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve elektrik panosu uygulamalarında yer bulur. 850mOhm maksimum on-state direnci ile ısıl kayıp minimumda tutulur. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ortamlardaki kullanımını destekler. 46nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1095 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok