Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF06N60ZH

MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF06N60ZH

NDF06N60ZH Hakkında

NDF06N60ZH, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 7.1A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlama ve kontrol görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 35W maksimum güç tüketimine sahiptir. Rds(on) değeri 1.2Ω (3A, 10V şartlarında) olup, 47nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel konverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1107 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220-2 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok