Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF05N50ZH

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF05N50ZH

NDF05N50ZH Hakkında

NDF05N50ZH, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source voltajı ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate voltajında maksimum 1.5Ω RDS(on) değeri ile verimli iletim özellikleri sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C arası) ve 30W güç harcama kapasitesi endüstriyel uygulamalar için uygun hale getirir. Maksimum gate kapasitansi 632pF'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-2 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok