Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF04N60ZG

MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF04N60ZG

NDF04N60ZG Hakkında

NDF04N60ZG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 4.8A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücü tasarımlarında tercih edilir. 2Ω maksimum RDS(On) değeri ile ısıl kayıplar minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve ticari elektrik devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 29 nC olup hızlı komutasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok