Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF03N60ZG

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF03N60ZG

NDF03N60ZG Hakkında

NDF03N60ZG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 3.1A sürekli drain akımı ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 3.6Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 27W güç saçıtabilme kapasitesine sahip transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 18nC gate charge ve 372pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok