Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDF02N60ZG

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
NDF02N60ZG

NDF02N60ZG Hakkında

NDF02N60ZG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 2.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 4.8Ω (@ 1A, 10V) on-resistance değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate charge 10.1 nC ve input capacitance 274 pF ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Maksimum 24W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok