Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDDP010N25AZT4H
MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDDP010N25AZ
NDDP010N25AZT4H Hakkında
NDDP010N25AZT4H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 420mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. ±30V gate gerilimi aralığı ve 4.5V kapı eşik gerilimi ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 52W'a kadar güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK/TP-FA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok