Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDDP010N25AZ-1H
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDDP010N25AZ
NDDP010N25AZ-1H Hakkında
NDDP010N25AZ-1H, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 420mOhm @ 5A, 10V) ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri (16nC @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK/TP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok