Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDDL01N60Z
NDDL01N60Z-1G Hakkında
NDDL01N60Z-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreler ve DC-DC konvertör uygulamalarında kullanılmaktadır. 15Ω (10V @ 400mA) on-state direnci ve 4.9nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 26W güç dağıtabilir. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok