Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N900U1T4G
MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G Hakkında
NDD60N900U1T4G, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 5.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında maksimum 900mOhm on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 12nC gate yükü ve düşük input kapasitansi hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 74W güç tüketim kapasitesi bulunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok