Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N900U1-35G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N900U1
NDD60N900U1-35G Hakkında
NDD60N900U1-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate drive voltajında 900mΩ on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek gerilim kontrol devrelerinde kullanılır. 74W maksimum güç dissipasyonu ve 12nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok