Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N900U1
NDD60N900U1-1G Hakkında
NDD60N900U1-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.7A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 900mΩ RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlar. TO-251-3 (IPak) pakette sunulan bu bileşen, endüstriyel güç devreleri, motor kontrol, inverter ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 74W güç dağıtabilir. 10V kapı sürüm gerilimi ile entegre devreler tarafından doğrudan kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok