Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N745U1-1G
NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N745
NDD60N745U1-1G Hakkında
NDD60N745U1-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET'tir. 6.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 745mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, AC/DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 84W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 745mOhm @ 3.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok