Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N550U1
NDD60N550U1-35G Hakkında
NDD60N550U1-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 8.2A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 550mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarına uyum sağlar. 18nC gate charge ve 540pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok