Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G Hakkında
NDD60N360U1T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi, 11A sürekli dren akımı ve DPAK paketlemesi ile tasarlanmıştır. 360mOhm (10V, 5.5A) Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate Charge 26nC ve Input Capacitance 790pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, aydınlatma ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan yüksek voltajlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. 114W maksimum güç yayınlama kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok