Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD60N360U1
NDD60N360U1-1G Hakkında
NDD60N360U1-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanan bu transistör, 360mΩ on-dirençi (Rds On) ve TO-251-3 (IPAK) paketlemesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 26nC gate charge ve 790pF input kapasitansi özellikleri sayesinde hızlı komütasyon sağlar. 114W güç disipasyonu kapasitesi ile motor kontrol, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlamalarında uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok