Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDD05N50ZT4G

MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NDD05N50ZT4G

NDD05N50ZT4G Hakkında

NDD05N50ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 4.7A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. DPAK paket tipinde Surface Mount teknolojisi ile tasarlanmıştır. 1.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı performans gösterir. AC adaptörler, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±30V kapı gerilimi toleransı ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok