Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD05N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD05N50Z
NDD05N50Z-1G Hakkında
NDD05N50Z-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 4.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum Rds(On) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 83W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok