Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G Hakkında
NDD04N60ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drain akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 2Ω RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize ederek anahtarlama devrelerinde verimlilik sağlar. Maksimum 29nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. DPAK (SC-63) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygundur. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok