Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD04N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD04N50ZT4G
NDD04N50ZT4G Hakkında
NDD04N50ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-252 (DPAK) paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek gerilim aktif filtrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 12nC kapı yükü ve düşük input kapasitansı (308pF) hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 308 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok