Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDD03N80ZT4G

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NDD03N80ZT4G

NDD03N80ZT4G Hakkında

NDD03N80ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajına ve 2.9A sürekli drain akımına sahiptir. DPAK-3 (TO-252-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 4.5Ω On-resistance değeri ve 17nC gate charge ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynağı denetim devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 96W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Ürün tasfiye edilmiş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package DPAK-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok