Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD03N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD03N60Z
NDD03N60Z-1G Hakkında
NDD03N60Z-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 2.6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.6Ω maksimum on-direnci (10V, 1.2A'da) ile enerji verimliliği sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelen bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç denetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. Gate charge 12nC ve input capacitance 312pF'dir. Maksimum gate-source voltajı ±30V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 312 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok