Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDD03N50ZT4G

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NDD03N50ZT4G

NDD03N50ZT4G Hakkında

NDD03N50ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 3.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10V kapı sürüm voltajında çalışan transistör, 16nC kapı yükü ve 329pF giriş kapasitansı özellikleriyle hızlı komutasyon uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama, dc-dc dönüştürücü, motor sürücü ve güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir. Maksimum 58W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 329 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok