Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD03N40Z-1G
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD03N40Z
NDD03N40Z-1G Hakkında
NDD03N40Z-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paket tipi ile through-hole montajına uyumludur. 3.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve genel endüstriyel kontrol sistemlerinde yer bulur. Maksimum 37W güç yayınlama kapasitesi vardır. Ürün statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok