Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD02N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD02N60ZT4G
NDD02N60ZT4G Hakkında
NDD02N60ZT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. SMPS devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Obsolete durumda olan bu ürün, mevcut tasarımlarda yerini daha yeni versiyonlara bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok