Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDD02N40T4G

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NDD02N40T4G

NDD02N40T4G Hakkında

NDD02N40T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V Drain-Source gerilimi ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 10V kapı sürüş geriliminde 5.5Ω maksimum RDS(on) değerine ve 2V kapı eşik gerilimi özelliklerine sahiptir. Maksimum 39W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel denetleyiciler, adaptörler, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 121 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok