Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDD02N40-1G

MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NDD02N40

NDD02N40-1G Hakkında

NDD02N40-1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, 10V gate sürücü geriliminde 5.5Ω on-resistance değerine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 5.5nC olup, geniş sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılmaya uygundur. 39W maksimum güç üretime sahiptir. Bileşen obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 121 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok