Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD01N60T4G
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD01N60T4G
NDD01N60T4G Hakkında
NDD01N60T4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim yeteneği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Sürekli drain akımı 1.5A olup, maksimum 46W güç saçabilmektedir. Gate eşik gerilimi 3.7V'da 50µA akımında ölçülmüştür. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 8.5Ohm olarak belirtilmiştir. TO-252 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Anahtarlama uygulamaları, düşük güçlü güç dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yer bulabilmektedir. Ürün halen üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok