Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDD01N60-1G
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDD01N60
NDD01N60-1G Hakkında
NDD01N60-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 8.5Ω on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 3.7V'dir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 46W güç dağıtabilir. Artık üretilmeyen (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok