Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDC652P
MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDC652P
NDC652P Hakkında
NDC652P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (110mOhm @ 10V) ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama devrelerine, güç kaynağı kontrolüne ve yük sürme uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok