Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDC632P
MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDC632P
NDC632P Hakkında
NDC632P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi, 2.7A sürekli drenaj akımı ve 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıplarında çalışan uygulamalar için tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. Maksimum 1.6W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve batarya uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri (15nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen Obsolete (üretime alınmamış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok