Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDBA180N10BT4H
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDBA180N10BT4H
NDBA180N10BT4H Hakkında
NDBA180N10BT4H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketleme ile kompakt tasarımlara uyumludur. 15V Vgs sürüş geriliminde 2.8mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Maksimum 175°C bağlantı sıcaklığında çalışabilir. Dikkat: Bu parça üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6950 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok