Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDBA100N10BT4H
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDBA100N10BT
NDBA100N10BT4H Hakkında
NDBA100N10BT4H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 100A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. 6.9mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C'ye kadar sıcaklık dayanımı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir çalışma yapabilir. 35nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri belirtir. Bileşen şu anda üretim dışındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok