Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDB6060L

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NDB6060L

NDB6060L Hakkında

NDB6060L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 48A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 20mOhm'luk düşük on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulur. Düşük gate charge (60nC @ 5V) hızlı komütasyon özelliği gösterir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde tercih edilir. Maksimum 100W güç tüketimi tolerasyon kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok