Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDB6030PL
30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDB6030PL
NDB6030PL Hakkında
NDB6030PL, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drenaj akımı, 30V drenaj-kaynak gerilimi ve 25mOhm RDS(on) değerleri ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer almaktadır. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 75W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile geniş bir uygulama yelpazesine hitap eder. 36nC kapı yükü ve 1570pF giriş kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri içermektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok