Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDB6030L
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDB6030L
NDB6030L Hakkında
NDB6030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 52A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 75W güç saçılması kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok