Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDB6020P
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDB6020P
NDB6020P Hakkında
NDB6020P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj desteği ile 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate drive voltajında 50mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde güç kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketine sahip olup, geniş -65°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 60W maksimum güç disipasyonu ile anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve batarya uygulamalarında kullanılır. Logic level gate kontrolü sayesinde düşük voltaj sürücü devreleriyle doğrudan entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1590 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok