Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
N0608N-ZK-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- N0608N
N0608N-ZK-E1-AY Hakkında
N0608N-ZK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 52A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 14.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarıma sahiptir. TO-252 DPak paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 50.2W (Tc) maksimum güç dağıtımı destekler. 37nC gate charge ve 1950pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliktir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 50.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok