Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
N0607N-ZK-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- N0607N
N0607N-ZK-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics N0607N-ZK-E1-AY, 60V drain-source voltaj ve 65A sürekli drain akımı kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürü voltajında 58nC gate şarjı ve 3300pF input kapasitansi değerlerine sahiptir. Eşik voltajı 4V olup, maksimum gate voltajı ±20V'dur. 150°C'ye kadar işletilmek üzere tasarlanmış bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 87.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok