Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

N0602N-S19-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Isolated Tab
Seri / Aile Numarası
N0602N

N0602N-S19-AY Hakkında

Renesas Electronics'ten N0602N-S19-AY, 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 4.6mOhm'luk düşük on-resistance değerine ve 133nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Maximum 150°C çalışma sıcaklığında ve 156W (Tc) güç dağıtım kapasitesinde çalışabilir. Endüstriyel sürücü devreler, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7730 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok