Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
N0601N-ZK-E1-AY
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- N0601N
N0601N-ZK-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen N0601N-ZK-E1-AY, 60V drain-source geriliminde 100A sürekli dren akımı sağlayan bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanat direnci özellikleri taşır. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilen cihaz, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Güç uygulamalarında anahtarlama görevinde, motor sürücülerinde, DC/DC dönüştürücülerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolay ve kompakt tasarımlar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok