Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
N0413N-ZK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- N0413N
N0413N-ZK-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen N0413N-ZK-E1-AY, N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 100A sürekli drenaj akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, düşük 3.3mΩ on-resistance ile verimli anahtarlama ve güç yönetimi sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan bu transistör, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında 119W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok