Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
N0412N-S19-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- N0412N
N0412N-S19-AY Hakkında
N0412N-S19-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Vdss ile 100A sürekli dren akımı kapasitesi bulunan bu bileşen, 3.7mOhm (10V, 50A'de) düşük RDS(on) direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 119W (Tc'de) güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. ±20V Vgs aralığı ve 100nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok