Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G Hakkında
MVSF2N02ELT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlamanın sağlanmasını mümkün kılar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. Mobil cihazlar, batarya yönetimi, LED sürücüleri ve düşük voltaj güç denetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 1.25W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok